Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 174

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
207.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL540SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; Idm: 110А; 150Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL540STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; Idm: 110А; 150Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора5,3нC КорпусPQFN2X2 МонтажSMD
216.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL60HS118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
186.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL620SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,2А; Idm: 21А; 50Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL620STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,2А; Idm: 21А; 50Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
185.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL630SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 36А; 74Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL630STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 36А; 74Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL630STRRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 36А; 74Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
94.80 
Доступность: 1666 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRL6342TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,9А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
327.98 
Доступность: 114 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRL640SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
364.68 
Доступность: 779 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRL640STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL640STRRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 17А; Idm: 68А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL7833STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 150А; 140Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора4,7нC КорпусPQFN2X2 МонтажSMD
129.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRL80HS120, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 9А; 5,8Вт; PQFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPQFN5X6 МонтажSMD Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяIRLH5030TRPBF
194.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRLH5030TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 3,6Вт; PQFN5X6" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусPQFN3.3X3.3 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
99.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRLHM620TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 40А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусPQFN3.3X3.3 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
131.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRLHM630TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусPQFN2X2 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRLHS6242TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 10А; 1,98Вт; PQFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC КорпусPQFN2X2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
32.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRLHS6342TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,5А; 2,1Вт; PQFN2X2" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусPQFN2X2 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
84.10 
Доступность: 1518 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRLHS6376TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,6А; 1,5Вт; PQFN2X2" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж