Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.18

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
APT7F120S
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусD3PAK МонтажSMD
2 083.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT7F120S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; D3PAK" 1.

0.0
APT7M120S
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусD3PAK МонтажSMD
1 547.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT7M120S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; D3PAK" 1.

0.0
APT8043SFLLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора85нC КорпусD3PAK МонтажSMD
4 656.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT8043SFLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 20А; Idm: 80А; 403Вт; D3PAK" 1.

0.0
APT8065SVRG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора225нC КорпусD3PAK МонтажSMD
3 233.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT8065SVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 800В; 13А; Idm: 52А" 1.

0.0
APT9M100S
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусD3PAK МонтажSMD
1 361.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT9M100S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 6А; Idm: 37А; 335Вт; D3PAK" 1.

0.0
AUIRF1324S-7P
Вид каналаобогащенный Заряд затвора180нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
703.56 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AUIRF1324S-7P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 24В; 429А; 300Вт; D2PAK-7" 1.

0.0
AUIRF1404S
Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток40В Обозначение производителяAUIRF1404S
950.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AUIRF1404S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK" 1.

0.0
AUIRF1404STRL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
412.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AUIRF1404STRL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK" 800.

0.0
AUIRF1404ZSTRL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
287.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AUIRF1404ZSTRL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 200Вт; D2PAK" 800.

0.0
AUIRF2804STRL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
474.31 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AUIRF2804STRL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 270А; 300Вт; D2PAK" 800.

0.0
AUIRFR024N
Вид каналаобогащенный КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение сток-исток55В Обозначение производителяAUIRFR024N
257.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AUIRFR024N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 17А; 45Вт; DPAK" 1.

0.0
AUIRLS3034
Вид каналаобогащенный Заряд затвора108нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 139.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AUIRLS3034, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 243А; 375Вт; DPAK" 1.

0.0
B2M065120R
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 754.94 
Доступность: 50 шт.
+

Минимальное количество для товара "B2M065120R, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт" 1.

0.0
BF2040E6814
Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT143 Напряжение затвор-исток±10В
36.36 
Доступность: 3760 шт.
+

Минимальное количество для товара "BF2040E6814HTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 8В; 40мА; 200мВт; SOT143; SMT" 5.

0.0
BS170FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
141.50 
Доступность: 3443 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS170FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15мА; 0,33Вт; SOT23" 1.

0.0
BSC014N06NS
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
461.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC016N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
245.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC018N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
189.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC025N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
205.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC028N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
328.85 
Доступность: 2096 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC030N04NSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
140.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC030N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC032N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
211.86 
Доступность: 1164 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC032N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 83А; 52Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC034N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
223.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC034N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC035N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC035N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 92А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж