Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.181

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIR4608DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
98.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4608DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 42,8А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR460DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
121.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR460DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 3000.

0.0
SIR462DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
85.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIR464DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
147.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR464DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR466DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
106.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR466DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 54Вт" 3000.

0.0
SIR470DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
388.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

0.0
SIR474DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
83.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR474DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIR500DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
159.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR500DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 350,8А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIR5102DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
298.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5102DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 110А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR510DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
219.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR510DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR516DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
178.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR516DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 63,7А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR5708DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
143.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5708DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR570DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
241.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR570DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 77,4А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR572DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
197.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR572DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 59,7А; Idm: 180А" 3000.

0.0
SIR574DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
145.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR574DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 48,1А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR576DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
124.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR576DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42,2А; Idm: 120А" 3000.

0.0
SIR578DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
219.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR578DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 70,2А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR5802DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
186.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5802DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137,5А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR580DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
335.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR580DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 146А; Idm: 300А" 1.

0.0
SIR582DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
159.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR582DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 116А; Idm: 300А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж