Москва
 +7(993)080-09-37

SIR580DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 146А; Idm: 300А

Написать отзыв
SIR580DP-T1-RE3
415.41 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
125+
250+
500+
Цена
292.30 ₽
214.50 ₽
192.60 ₽
184.29 ₽
167.67 ₽
160.88 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIR580DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 146А; Idm: 300А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIR580DP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
76нC
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SIR580DP-T1-RE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
104Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
146А
Ток стока в импульсном режиме
300А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России