Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.182

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIR584DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
151.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR584DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 250А" 3000.

0.0
SIR606BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR606BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 38,7А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR606DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
166.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 37А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR608DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
170.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIR610DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
219.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,4А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR616DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
145.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR616DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 20,2А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIR618DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR618DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 14,2А; Idm: 30А" 3000.

0.0
SIR622DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
162.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR622DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR622DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
249.80 
Доступность: 5662 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIR624DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR624DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIR624DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
110.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR624DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIR626ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
221.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR626ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 165А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR626DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
303.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR626DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 34,2А; 4Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SIR626LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
273.52 
Доступность: 2209 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 186А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIR632DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
191.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR632DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 29А; Idm: 50А" 1.

0.0
SIR638ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
184.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR638ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIR638DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
216.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIR638DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
183.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIR640ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
175.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR640ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 350А" 3000.

0.0
SIR664DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
107.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR664DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 50Вт" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж