SIR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 186А; Idm: 400А

SIR626LDP-T1-RE3

Срок поставки 4-6 недель

348.38 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
Цена
251.28 ₽
193.36 ₽
176.32 ₽
172.06 ₽
Доступность: 1351 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 186А; Idm: 400А" 1.

Артикул производителя
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
135нC
Код производителя
SIR626LDP-T1-RE3
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
104Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,1мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
186А
Ток стока в импульсном режиме
400А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России