Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 302

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTN6N60M2 Полярностьполевой
146.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STN6N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
149.85 
Доступность: 332 шт.
 

Минимальное количество для товара "STR2N2VH5, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; полевой; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STS10P4LLF6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 5,6А; Idm: 40А; 2,7Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток450В
183.49 
Доступность: 2490 шт.
 

Минимальное количество для товара "STS1DNC45, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,25А; Idm: 1,6А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STS5NF60L, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 3А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
116.21 
Доступность: 2400 шт.
 

Минимальное количество для товара "STS6NF20V, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STT6N3LLH6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,75А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOT23-6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
321.10 
Доступность: 1510 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD15N15-95-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 15А; Idm: 25А; 62Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора34нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
325.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD19N20-90-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTO252 МонтажSMD
58.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD20N10-66L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16,9А; Idm: 25А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора17нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
178.13 
Доступность: 1695 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD23N06-31-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 17,1А; 31,25Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD25N15-52-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 25А; Idm: 50А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусTO252 МонтажSMD
229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD35N10-26P-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусTO252 МонтажSMD
136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD35N10-26P-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусTO252 МонтажSMD
229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD35N10-26P-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTO252 МонтажSMD
287.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD40N08-16-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 40А; Idm: 60А; 136Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD40N10-25-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; Idm: 70А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусTO252 МонтажSMD
80.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50N03-06AP-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 100А; 83Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
162.08 
Доступность: 1917 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50N04-8M8P-4GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 14А; Idm: 100А; 30,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора47нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
345.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50N06-09L-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж