Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 302

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
STN6N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
STN6N60M2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяSTN6N60M2 МонтажSMD Полярностьполевой
178.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STN6N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

STR2N2VH5, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; полевой; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А
0.0
STR2N2VH5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC Код производителяSTR2N2VH5 КорпусSOT23
199.32 ₽
Доступность: 327 шт.
 

Минимальное количество для товара "STR2N2VH5, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; полевой; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А" 1.

STS10P4LLF6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 5,6А; Idm: 40А; 2,7Вт; SO8
0.0
STS10P4LLF6
Вид каналаобогащенный Код производителяSTS10P4LLF6 КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STS10P4LLF6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 5,6А; Idm: 40А; 2,7Вт; SO8" 1.

STS1DNC45, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,25А; Idm: 1,6А; 2Вт; SO8
0.0
STS1DNC45
Вид каналаобогащенный Код производителяSTS1DNC45 КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
310.05 ₽
Доступность: 2440 шт.
 

Минимальное количество для товара "STS1DNC45, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,25А; Idm: 1,6А; 2Вт; SO8" 1.

STS5NF60L, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 3А; 2,5Вт; SO8
0.0
STS5NF60L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяSTS5NF60L КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STS5NF60L, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 3А; 2,5Вт; SO8" 1.

STS6NF20V, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
0.0
STS6NF20V
Вид каналаобогащенный Код производителяSTS6NF20V КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
63.88 ₽
Доступность: 2376 шт.
 

Минимальное количество для товара "STS6NF20V, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8" 1.

STT6N3LLH6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,75А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOT23-6
0.0
STT6N3LLH6
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяSTT6N3LLH6 КорпусSOT23-6 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STT6N3LLH6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,75А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOT23-6" 1.

SUD15N15-95-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 15А; Idm: 25А; 62Вт; DPAK,TO252
0.0
SUD15N15-95-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSUD15N15-95-E3 КорпусDPAK, TO252
609.03 ₽
Доступность: 1008 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD15N15-95-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 15А; Idm: 25А; 62Вт; DPAK,TO252" 1.

SUD19N20-90-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; 136Вт; DPAK,TO252
0.0
SUD19N20-90-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора34нC Код производителяSUD19N20-90-E3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
457.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD19N20-90-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

SUD20N10-66L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16,9А; Idm: 25А
0.0
SUD20N10-66L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSUD20N10-66L-GE3 КорпусTO252
72.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD20N10-66L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16,9А; Idm: 25А" 2000.

SUD23N06-31-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 17,1А; 31,25Вт; DPAK,TO252
0.0
SUD23N06-31-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора17нC Код производителяSUD23N06-31-GE3 КорпусDPAK, TO252
260.65 ₽
Доступность: 1666 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD23N06-31-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 17,1А; 31,25Вт; DPAK,TO252" 1.

SUD25N15-52-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 25А; Idm: 50А; 136Вт
0.0
SUD25N15-52-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSUD25N15-52-E3 КорпусDPAK, TO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD25N15-52-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 25А; Idm: 50А; 136Вт" 1.

SUD35N10-26P-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт
0.0
SUD35N10-26P-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC Код производителяSUD35N10-26P-BE3 КорпусTO252
281.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD35N10-26P-BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт" 2000.

SUD35N10-26P-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт
0.0
SUD35N10-26P-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC Код производителяSUD35N10-26P-E3 КорпусTO252
166.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD35N10-26P-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт" 2000.

SUD35N10-26P-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт
0.0
SUD35N10-26P-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC Код производителяSUD35N10-26P-GE3 КорпусTO252
281.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD35N10-26P-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт" 2000.

SUD40N08-16-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 40А; Idm: 60А; 136Вт
0.0
SUD40N08-16-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяSUD40N08-16-E3 КорпусTO252
352.64 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD40N08-16-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 40А; Idm: 60А; 136Вт" 2000.

SUD40N10-25-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; Idm: 70А; 136Вт
0.0
SUD40N10-25-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяSUD40N10-25-E3 КорпусDPAK, TO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD40N10-25-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; Idm: 70А; 136Вт" 1.

SUD50N03-06AP-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 100А; 83Вт
0.0
SUD50N03-06AP-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSUD50N03-06AP-E3 КорпусTO252
98.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50N03-06AP-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 100А; 83Вт" 2000.

SUD50N04-8M8P-4GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 14А; Idm: 100А; 30,8Вт
0.0
SUD50N04-8M8P-4GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSUD50N04-8M8P-4GE3 КорпусDPAK, TO252
297.27 ₽
Доступность: 548 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50N04-8M8P-4GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 14А; Idm: 100А; 30,8Вт" 1.

SUD50N06-09L-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252
0.0
SUD50N06-09L-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора47нC Код производителяSUD50N06-09L-E3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
423.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50N06-09L-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж