Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 306

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2425N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
226.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2435N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 1А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
221.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2501N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 18В; 0,25А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2504N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
223.24 
Доступность: 155 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2510N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
266.06 
Доступность: 180 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2524N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 1А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2540N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 260мА; Idm: 1,8А; 1,6Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
382.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2640K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 500мА; Idm: 3А; 2,5Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
330.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2640LG-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 260мА; Idm: 2А; 1,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN5325K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 150мА; Idm: 0,4А; 360мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN5325N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 316мА; Idm: 1,5А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN5335K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,75А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
159.02 
Доступность: 897 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN5335N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSOP8A МонтажSMD
138.38 
Доступность: 1757 шт.
 

Минимальное количество для товара "TPH11006NL,LQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 17А; 34Вт; SOP8A" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TPH1R005PL,L1Q(M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 280А; Idm: 500А; 170Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусSOP8A МонтажSMD
221.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TPH1R204PL,L1Q(M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 246А; 132Вт; SOP8A" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора91нC КорпусSOP8A МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TPH1R306PL,L1Q(M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 170Вт; SOP8A" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусSOP8A МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TPH2R306NH,L1Q(M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 130А; 78Вт; SOP8A" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
125.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TPH2R903PL,L1Q(M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 124А; Idm: 250А; 81Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TPH3R003PL,LQ(S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 134А; Idm: 200А; 90Вт; SOP8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж