Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 325

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO263 МонтажSMD
536.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM90R360S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7,8А; Idm: 52А; 183Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
258.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM90R830S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7А; 73Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263-7 МонтажSMD Обозначение производителяWMMB015N08HGS
386.85 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMMB015N08HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263-7 МонтажSMD Обозначение производителяWMMB020N10HG4
340.98 
Доступность: 240 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMMB020N10HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO030N06HG4
139.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO030N06HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO030N06LG4
139.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO030N06LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
44.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO03N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 2,5А; 29Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO048NV6HG4
137.61 
Доступность: 68 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO048NV6HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO048NV6LG4
110.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO048NV6LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
48.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO04N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 3А; 29Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO04N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 2,6А; 29Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO053NV8HGS
112.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO053NV8HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
256.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO05N100C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1кВ; 2А; Idm: 11А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение сток-исток650В
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO05N65MM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ MM; полевой; 650В; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
111.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO05N70MM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ MM; полевой; 700В; 5,4А; 42Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
58.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO05N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO060N10HGS
110.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO060N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
61.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO06N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 5А; 50Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Время готовности260нс Заряд затвора3,8нC КорпусTO252
224.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N100C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1кВ; 2,2А; Idm: 12А; 65Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,8нC КорпусTO252 МонтажSMD
414.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO07N105C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1,05кВ; 2,2А; Idm: 12А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж