Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 4

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
29.26 
Доступность: 8775 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7002WT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,34А; 0,33Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
133.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK1062(TE85L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 200мВт; SC59" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK208-GR(TE85L,F)
33.01 
Доступность: 8871 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK208-GR(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 6,5мА; 0,1Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK208-O(TE85L,F)
94.52 
Доступность: 10698 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK208-O(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 1,4мА; 0,1Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK209-BL(TE85L,F)
103.53 
Доступность: 1927 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK209-BL(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 14мА; 0,15Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK209-GR(TE85L,F)
85.52 
Доступность: 2817 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK209-GR(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 6,5мА; 0,15Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD
57.76 
Доступность: 5512 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK3018-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT523 МонтажSMD
42.76 
Доступность: 2264 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK3019-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC62 МонтажSMD
108.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3065T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 0,5Вт; SC62; ESD" 1.

Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина Выходная мощность7,5Вт КорпусTO271AA
2 211.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3075(TE12L,Q), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 30В; 5А; 20Вт; TO271AA; SMT; 50%" 1.

Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность630мВт КорпусSOT89
330.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3475(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; Pвых: 630мВт" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-15В Напряжение сток-исток15В
102.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK932-23-TB-E, Транзистор: N-JFET; полевой; 15В; 10мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-15В Напряжение сток-исток15В
80.27 
Доступность: 1992 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK932-24-TB-E, Транзистор: N-JFET; полевой; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
20.26 
Доступность: 9313 шт.
 

Минимальное количество для товара "2V7002KT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,35Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
39.01 
Доступность: 2110 шт.
 

Минимальное количество для товара "2V7002LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусSC70, SOT323
36.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2V7002WT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,22А; Idm: 1,4А; 0,28Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность70Вт КорпусTO270WBG-4
4 083.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MP075GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 690Вт; TO270WBG-4; Pвых: 70Вт" 500.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность70Вт КорпусTO270WB-4
4 281.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MP075NR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 690Вт; TO270WB-4; Pвых: 70Вт; SMT" 500.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность4,9Вт КорпусSOT89
387.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MS004NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 28Вт; SOT89; Pвых: 4,9Вт; SMT" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность6Вт КорпусPLD-1.5W
990.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MS006NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 125Вт; PLD-1.5W; Pвых: 6Вт; SMT" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж