Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 4

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение сток-исток60В
16.82 
Доступность: 12969 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7002W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT323" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.64 
Доступность: 2269 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7002W-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,073А; Idm: 0,8А; 0,2Вт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусSOT323 МонтажSMD
6.12 
Доступность: 2100 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7002W, Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 60В; 0,272А" 25.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
25.99 
Доступность: 9225 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7002WT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,34А; 0,33Вт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
139.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK1062(TE85L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 200мВт; SC59" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK208-GR(TE85L,F)
35.17 
Доступность: 8916 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK208-GR(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 6,5мА; 0,1Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK208-O(TE85L,F)
99.39 
Доступность: 10909 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK208-O(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 1,4мА; 0,1Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK209-BL(TE85L,F)
100.92 
Доступность: 2242 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK209-BL(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 14мА; 0,15Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK209-GR(TE85L,F)
90.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK209-GR(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 6,5мА; 0,15Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD
58.87 
Доступность: 471 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK3018-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT523 МонтажSMD
42.81 
Доступность: 2274 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK3019-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC62 МонтажSMD
100.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3065T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 0,5Вт; SC62; ESD" 1.

Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина Выходная мощность7,5Вт КорпусTO271AA
2 253.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3075(TE12L,Q), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 30В; 5А; 20Вт; TO271AA; SMT; 50%" 1.

Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность630мВт КорпусSOT89
336.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3475(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; Pвых: 630мВт" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-15В Напряжение сток-исток15В
91.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK932-23-TB-E, Транзистор: N-JFET; полевой; 15В; 10мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-15В Напряжение сток-исток15В
139.91 
Доступность: 2142 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK932-24-TB-E, Транзистор: N-JFET; полевой; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
16.06 
Доступность: 2735 шт.
 

Минимальное количество для товара "2V7002KT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,35Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
34.40 
Доступность: 3420 шт.
 

Минимальное количество для товара "2V7002LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусSC70, SOT323
31.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2V7002WT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,22А; Idm: 1,4А; 0,28Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность70Вт КорпусTO270WBG-4
4 590.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MP075GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 690Вт; TO270WBG-4; Pвых: 70Вт" 500.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж