Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 49

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
477.54 
Доступность: 331 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19531Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 125Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
541.92 
Доступность: 138 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19532KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK МонтажSMD
340.57 
Доступность: 134 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19532KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
630.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19532Q5BT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 195Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
354.04 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19533Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 96Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
137.72 
Доступность: 19 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19534Q5A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
340.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19534Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
678.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19535KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусD2PAK МонтажSMD
749.25 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19535KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
828.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19536KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора118нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 077.10 
Доступность: 75 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
327.84 
Доступность: 63 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19537Q3T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 83Вт; VSON-CLIP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусWSON6 МонтажSMD
95.81 
Доступность: 1332 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19538Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
85.33 
Доступность: 59 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19538Q3AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусWSON6 МонтажSMD
108.53 
Доступность: 259 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD87502Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусQFN2X2
83.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI002N10PWK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; QFN2X2; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусQFN2X2
75.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI002N10PWK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; QFN2X2; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
116.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI004N06PWK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 16А; 1,65Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
103.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI004N06PWK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 16А; 1,65Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,7нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
57.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005N03PW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 40А; 0,7Вт; QFN2X2" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж