Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 69

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяDI100N04PQ-AQ КорпусQFN5x6
310.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI100N04PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 400А; 83Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяDI100N10PQ-AQ КорпусQFN5x6
512.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI100N10PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; Idm: 480А; 60Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяDI100N10PQ КорпусQFN5x6
431.97 
Доступность: 4139 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI100N10PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; Idm: 480А; 60Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяDI105N04PQ-AQ КорпусQFN5x6
282.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI105N04PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 520А; 83Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора163нC Код производителяDI110N03PQ-AQ КорпусQFN5x6
110.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI110N03PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 70А; Idm: 420А; 35Вт; QFN5x6" 5000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора163нC Код производителяDI110N03PQ КорпусQFN5x6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI110N03PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 70А; Idm: 420А; 35Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяDI110N04PQ-AQ КорпусQFN5x6
251.70 
Доступность: 990 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI110N04PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяDI110N04PQ КорпусQFN5x6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI110N04PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяDI110N06D1 КорпусDPAK, TO252AA
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI110N06D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 70А; Idm: 550А; 71Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяDI110N06D2-AQ КорпусD2PAK, TO263AB
293.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI110N06D2-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 70А; Idm: 480А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяDI110N06D2 КорпусD2PAK, TO263AB
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI110N06D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 70А; Idm: 480А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяDI110N15PQ-AQ КорпусQFN5x6
570.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI110N15PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 34А; Idm: 250А; 62,5Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяDI110N15PQ КорпусQFN5x6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI110N15PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 34А; Idm: 250А; 62,5Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяDI110N15PQ-Q КорпусQFN5x6
489.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI110N15PQ-Q, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 34А; Idm: 250А; 62,5Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78,5нC Код производителяDI114N06PQ КорпусQFN5x6
314.63 
Доступность: 4574 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI114N06PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 72,5А; Idm: 480А; 63,8Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяDI115N06PQ КорпусQFN5x6
1 141.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI115N06PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 72,5А; Idm: 480А; 78,9Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяDI135N06PQ КорпусQFN5x6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI135N06PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 85А; Idm: 560А; 92,6Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1607нC Код производителяDI150N03PQ КорпусDFN5060-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI150N03PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7А; Idm: 350А; 80Вт; DFN5060-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC Код производителяDI150N04PQ КорпусQFN5x6
380.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI150N04PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 130А; Idm: 400А; 125Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC Код производителяDI1A0N60D1-AQ КорпусDPAK
90.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI1A0N60D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,63А; Idm: 2,5А; 25Вт; DPAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж