Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа N :: Транзисторы с каналом N SMD

IPB048N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А; 300Вт

0.0

КОД:

IPB048N15N5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO 263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А; 300Вт" 1.

IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB048N15N5LF

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

1 553⁰³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB049N08N5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

435⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB049NE7N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В

338⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB054N06N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

252⁸⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB054N08N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

325⁷⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB055N03LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

165⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB057N06NATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

314³⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB065N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 130А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB065N15N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB065N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 130А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB067N08N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

377⁸⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB072N15N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

918⁵⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB073N15N5

Вид каналаобогащенный Заряд затвора49нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

1 057⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB081N06L3G

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

204⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB083N10N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

288⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB083N15N5LF

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

1 404³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB090N06N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

209²⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт

0.0

КОД:

IPB100N04S303

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

354¹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт" 1.

IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB100N06S205

Вид каналаобогащенный Заряд затвора130нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

421⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB100N06S2L05

Вид каналаобогащенный Заряд затвора170нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

803⁰³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А

0.0

КОД:

IPB100N10S305ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А" 1.

IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB107N20N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

2 165⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB107N20NAATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

1 372¹⁶ ^₽

Доступность: 820 шт.

Минимальное количество для товара "IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB108N15N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

795⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB110N20N3LF

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

2 145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.