Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа N :: Транзисторы с каналом N SMD

IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R120P7

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC КорпусD2PAK МонтажSMD

624⁰⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK" 1.

IPB60R125C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R125C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R125C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R160C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

663⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R165CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

1 447⁹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R180C7

Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

477²⁷ ^₽

Доступность: 945 шт.

Минимальное количество для товара "IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK" 1.

IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R180P7

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора25нC КорпусD2PAK МонтажSMD

471⁵⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK" 1.

IPB60R190C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R190C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R190C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R199CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

681⁸² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3-2

0.0

КОД:

IPB60R250CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3-2" 1.

IPB60R280C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R280C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

408¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R280C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R280P7

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусD2PAK МонтажSMD

388²⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; D2PAK" 1.

IPB60R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 96Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R299CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

529³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 96Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R360P7

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора13нC КорпусD2PAK МонтажSMD

413⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; D2PAK" 1.

IPB60R385CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R385CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

421⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R385CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB64N25S320ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 250В; 46А; Idm: 256А

0.0

КОД:

IPB64N25S320ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB64N25S320ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 250В; 46А; Idm: 256А" 1.

IPB65R045C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 46А; 227Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R045C7ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

3 905³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R045C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 46А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R065C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; 171Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R065C7ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

2 368³⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R065C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; 171Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R099C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

1 574⁸¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R110CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R110CFDATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

1 505⁶⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R110CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R150CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 22,4А; 195,3Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R150CFDATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

735⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R150CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 22,4А; 195,3Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R190C7ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

663⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R190CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R190CFDATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

656²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R190CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R280E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R280E6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

509⁴⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R280E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R310CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB65R310CFDATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

447⁹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB65R310CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO263-3" 1.