Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа N :: Транзисторы с каналом N SMD

IAUZ20N08S5L300ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 14А; Idm: 80А; 30Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

IAUZ20N08S5L300

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IAUZ20N08S5L300ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 14А; Idm: 80А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

IAUZ30N08S5N186ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 7А; Idm: 120А; 41Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

IAUZ30N08S5N186

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,1нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IAUZ30N08S5N186ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 7А; Idm: 120А; 41Вт; PG-TSDSON-8" 1.

IAUZ30N10S5L240ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 22А; Idm: 120А; 45,5Вт

0.0

КОД:

IAUZ30N10S5L240

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IAUZ30N10S5L240ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 22А; Idm: 120А; 45,5Вт" 1.

IAUZ40N06S5L050ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 252А; 71Вт

0.0

КОД:

IAUZ40N06S5L050

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,7нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IAUZ40N06S5L050ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 252А; 71Вт" 1.

IAUZ40N06S5N050ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 14А; Idm: 241А; 71Вт

0.0

КОД:

IAUZ40N06S5N050

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30,5нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IAUZ40N06S5N050ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 14А; Idm: 241А; 71Вт" 1.

IAUZ40N06S5N105ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 120А; 42Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

IAUZ40N06S5N105

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,3нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IAUZ40N06S5N105ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 120А; 42Вт; PG-TSDSON-8" 1.

IAUZ40N08S5N100ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; Idm: 160А; 68Вт

0.0

КОД:

IAUZ40N08S5N100

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,2нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IAUZ40N08S5N100ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; Idm: 160А; 68Вт" 1.

IAUZ40N10S5L120ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9А; Idm: 160А; 62Вт

0.0

КОД:

IAUZ40N10S5L120

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,6нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IAUZ40N10S5L120ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9А; Idm: 160А; 62Вт" 1.

IAUZ40N10S5N130ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 160А; 68Вт

0.0

КОД:

IAUZ40N10S5N130

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IAUZ40N10S5N130ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 160А; 68Вт" 1.

IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А

0.0

КОД:

IGOT60R070D1AUMA1

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-DSO-20

5 250⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

IGT60R070D1ATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А

0.0

КОД:

IGT60R070D1ATMA1

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-HSOF-8-3

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IGT60R070D1ATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А

0.0

КОД:

IGT60R190D1SATMA1

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,2нC КорпусPG-HSOF-8-3

2 165⁷² ^₽

Доступность: 3 шт.

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

IPB009N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB009N03LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB009N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB010N06NATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

1 578⁶⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB011N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB011N04LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB011N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB011N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB011N04NGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB011N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB014N06NATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

715⁹¹ ^₽

Доступность: 73 шт.

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB015N04LG

Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

604¹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB015N04NGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

753⁷⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB015N08N5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

1 180⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB016N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB016N06L3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB016N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB017N06N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

646⁷⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB017N08N5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

1 129⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB017N10N5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

1 757⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.