Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа N :: Транзисторы с каналом N SMD

IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD031N06L3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

511³⁶ ^₽

Доступность: 983 шт.

Минимальное количество для товара "IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD034N06N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

325⁷⁶ ^₽

Доступность: 951 шт.

Минимальное количество для товара "IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD038N06N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

222⁵⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD040N03LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

135⁴² ^₽

Доступность: 366 шт.

Минимальное количество для товара "IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD050N03LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

165⁷² ^₽

Доступность: 1646 шт.

Минимальное количество для товара "IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD053N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD053N06NATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD053N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD060N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; 56Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD060N03LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

176¹⁴ ^₽

Доступность: 2490 шт.

Минимальное количество для товара "IPD060N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; 56Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD075N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD075N03LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

147⁷³ ^₽

Доступность: 2455 шт.

Минимальное количество для товара "IPD075N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD082N10N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

368³⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD090N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD090N03LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

141¹⁰ ^₽

Доступность: 2180 шт.

Минимальное количество для товара "IPD090N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD110N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А; 136Вт

0.0

КОД:

IPD110N12N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD110N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А; 136Вт" 1.

IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD12CN10NGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

325⁷⁶ ^₽

Доступность: 1842 шт.

Минимальное количество для товара "IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD135N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD135N03LGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

188⁴⁵ ^₽

Доступность: 814 шт.

Минимальное количество для товара "IPD135N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт

0.0

КОД:

IPD200N15N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

459²⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт" 1.

IPD25CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 25А; Idm: 140А; 71Вт

0.0

КОД:

IPD25CN10NGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD25CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 25А; Idm: 140А; 71Вт" 1.

IPD25N06S4L30ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 17А; Idm: 92А

0.0

КОД:

IPD25N06S4L30ATMA2

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD25N06S4L30ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 17А; Idm: 92А" 1.

IPD26N06S2L35ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 22А; Idm: 120А; 68Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD26N06S2L35ATMA2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD26N06S2L35ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 22А; Idm: 120А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD30N03S4L09ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 30А; 42Вт

0.0

КОД:

IPD30N03S4L09

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD30N03S4L09ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 30А; 42Вт" 1.

IPD30N08S222ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD30N08S222

Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

170⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD30N08S222ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD30N08S2L21ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 75В; 30А; Idm: 120А; 136Вт

0.0

КОД:

IPD30N08S2L21ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD30N08S2L21ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 75В; 30А; Idm: 120А; 136Вт" 1.

IPD33CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 108А; 58Вт

0.0

КОД:

IPD33CN10NGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD33CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 108А; 58Вт" 1.

IPD350N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD350N06LGBTMA1

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

156²⁵ ^₽

Доступность: 1555 шт.

Минимальное количество для товара "IPD350N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 25А; Idm: 140А

0.0

КОД:

IPD35N10S3L26ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 25А; Idm: 140А" 1.

IPD50N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 40В; 47А; Idm: 200А

0.0

КОД:

IPD50N04S408ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD50N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 40В; 47А; Idm: 200А" 1.