Товары из категории транзисторы с каналом n tht, стр.152

Производитель

Транзисторы с каналом N, выводные (THT — Through-Hole Technology) — это полупроводниковые приборы с длинными выводами, предназначенные для ручной или волновой пайки в отверстия печатной платы. Широко используются в промышленной автоматике, системах управления, источниках питания, учебных проектах и ремонте оборудования.

Отличаются высокой механической прочностью соединения и удобством обслуживания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N THT от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
VN2410L-G-P013
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
162.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN2410L-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 190мА; Idm: 1,7А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VN2410L-G-P014
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
162.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN2410L-G-P014, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 190мА; Idm: 1,7А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VN2410L-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
167.44 
Доступность: 996 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN2410L-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 190мА; Idm: 1,7А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VN2460N3-G-P003
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
200.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN2460N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 160мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VN2460N3-G-P014
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
200.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN2460N3-G-P014, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 160мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VN2460N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
260.47 
Доступность: 103 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN2460N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 160мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VN3205N3-G-P002
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
226.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN3205N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 1,2А; Idm: 8А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VN3205N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
306.98 
Доступность: 43 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN3205N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 1,2А; Idm: 8А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VN4012L-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
279.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN4012L-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 160мА; Idm: 0,65А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
WMAA2N100D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO251 МонтажTHT
93.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMAA2N100D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1кВ; 2А; Idm: 8А; 60Вт" 1.

0.0
WMAA4N65D1B-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора14,5нC КорпусTO251 МонтажTHT
59.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMAA4N65D1B, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 77Вт" 1.

0.0
WMAA4N80D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора24,5нC КорпусTO251 МонтажTHT
104.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMAA4N80D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 800В; 4А; Idm: 16А; 156Вт" 1.

0.0
WMAA4N80D1B-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13нC КорпусTO251 МонтажTHT
77.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMAA4N80D1B, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт" 1.

0.0
WMAA6N80D1B-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
116.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMAA6N80D1B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; TO251" 1.

0.0
WMG04N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
86.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG04N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG07N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
93.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG07N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 5А; 42Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG07N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
97.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG07N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 5А; 42Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG07N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
97.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG07N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 4А; 42Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG09N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
103.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG09N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 6А; 45Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG09N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
108.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG09N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 6А; 45Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG09N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
108.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG09N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMH04N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S2 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
82.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMH04N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 3А; 29Вт; TO251S2" 1.

0.0
WMH04N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S2 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
82.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMH04N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 3А; 29Вт; TO251S2" 1.

0.0
WMH04N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S2 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
86.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMH04N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251S2" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж