Товары из категории транзисторы с каналом n tht, стр.166

Производитель

Транзисторы с каналом N, выводные (THT — Through-Hole Technology) — это полупроводниковые приборы с длинными выводами, предназначенные для ручной или волновой пайки в отверстия печатной платы. Широко используются в промышленной автоматике, системах управления, источниках питания, учебных проектах и ремонте оборудования.

Отличаются высокой механической прочностью соединения и удобством обслуживания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N THT от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
WMN10N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
106.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN10N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 7,5А; 57Вт; TO262" 1.

0.0
WMN10N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
124.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN10N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO262" 1.

0.0
WMN11N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
114.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO262" 1.

0.0
WMN11N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
74.42 
Доступность: 40 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMN11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO262" 1.

0.0
WMN11N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
127.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO262" 1.

0.0
WMN12N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
165.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO262" 1.

0.0
WMN13N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
198.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN13N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 13А; 130Вт; TO262" 1.

0.0
WMN14N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
80.62 
Доступность: 32 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMN14N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 11А; 85Вт; TO262" 1.

0.0
WMN14N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
150.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN14N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 11А; 85Вт; TO262" 1.

0.0
WMN14N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
153.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN14N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 11А; 85Вт; TO262" 1.

0.0
WMN15N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
237.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN15N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 15А; 150Вт; TO262" 1.

0.0
WMN16N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
156.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN16N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 13А; 86Вт; TO262" 1.

0.0
WMN16N60FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
212.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN16N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 13А; 86Вт; TO262" 1.

0.0
WMN16N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
94.57 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMN16N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 13А; 86Вт; TO262" 1.

0.0
WMN16N65FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
221.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN16N65FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 650В; 13А; 86Вт; TO262" 1.

0.0
WMN16N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
168.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN16N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 12А; 86Вт; TO262" 1.

0.0
WMN20N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
224.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN20N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 15А; 86Вт; TO262" 1.

0.0
WMN20N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
234.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN20N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 15А; 86Вт; TO262" 1.

0.0
WMN25N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
299.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN25N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 21А; 250Вт; TO262" 1.

0.0
WMN26N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
272.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN26N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 20А; 147Вт; TO262" 1.

0.0
WMN26N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора22,1нC КорпусTO262 МонтажTHT
421.71 
Доступность: 90 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMN26N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

0.0
WMN26N60FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
310.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN26N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 20А; 147Вт; TO262" 1.

0.0
WMN26N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
283.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN26N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 20А; 147Вт; TO262" 1.

0.0
WMN26N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора22,1нC КорпусTO262 МонтажTHT
283.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN26N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж