Товары из категории транзисторы с каналом n tht, стр.95

Производитель

Транзисторы с каналом N, выводные (THT — Through-Hole Technology) — это полупроводниковые приборы с длинными выводами, предназначенные для ручной или волновой пайки в отверстия печатной платы. Широко используются в промышленной автоматике, системах управления, источниках питания, учебных проектах и ремонте оборудования.

Отличаются высокой механической прочностью соединения и удобством обслуживания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N THT от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
IXTX550N055T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора595нC КорпусPLUS247™
4 344.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTX550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 1250Вт; PLUS247™; 100нс" 1.

0.0
IXTX600N04T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора590нC КорпусPLUS247™
4 309.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTX600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 600А; 1250Вт; PLUS247™; 100нс" 1.

0.0
IXTX60N50L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности980нс Заряд затвора610нC КорпусPLUS247™
6 959.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTX60N50L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 60А; 960Вт; PLUS247™; 980нс" 1.

0.0
IXTX6N200P3HV
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности520нс Заряд затвора143нC КорпусTO247PLUS-HV
10 227.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTX6N200P3HV, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 2кВ; 6А; 960Вт; 520нс" 1.

0.0
IXTX8N150L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,7мкс Заряд затвора250нC КорпусPLUS247™
6 366.80 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXTX8N150L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,5кВ; 8А; 700Вт; PLUS247™; 1,7мкс" 1.

0.0
IXTX90N25L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности266нс Заряд затвора640нC КорпусPLUS247™
5 437.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTX90N25L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 90А; 960Вт; PLUS247™; 266нс" 1.

0.0
J111
Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-35В Обозначение производителяJ111
64.03 
Доступность: 2139 шт.
+

Минимальное количество для товара "J111, Транзистор: N-JFET; полевой; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА" 1.

0.0
J112
Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-35В Обозначение производителяJ112
74.31 
Доступность: 7901 шт.
+

Минимальное количество для товара "J112, Транзистор: N-JFET; полевой; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА" 1.

0.0
LET9120
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкироссыпью Выходная мощность150Вт КорпусM246
35 339.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LET9120, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 80В; 18А; 200Вт; M246; Pвых: 150Вт" 1.

0.0
LGE3M14120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора230нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
11 683.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт" 1.

0.0
LGE3M160120B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 628.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M160120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт" 1.

0.0
LGE3M160120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 628.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт" 1.

0.0
LGE3M18120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора235нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 948.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт" 1.

0.0
LGE3M1K170B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21,8нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
847.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт" 1.

0.0
LGE3M20120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора254нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 490.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4" 1.

0.0
LGE3M25120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 158.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт" 1.

0.0
LGE3M28065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора163нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 905.14 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт" 1.

0.0
LGE3M30065B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора147нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 683.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт" 1.

0.0
LGE3M30065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...20В
3 794.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт" 1.

0.0
LGE3M35065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 446.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт" 1.

0.0
LGE3M35120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора148нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 810.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M35120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт" 1.

0.0
LGE3M40065B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110,8нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 130.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M40065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт" 1.

0.0
LGE3M40065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110,8нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 130.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M40065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт" 1.

0.0
LGE3M40120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора145нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 367.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGE3M40120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 117А; 300Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (32)
Хиты продаж