Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 10

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSOP8 МонтажSMD
61.93 
Доступность: 1974 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT230P03B, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -40А; 3,9Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT350P02M Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
58.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT350P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSOT23-3 МонтажSMD
43.58 
Доступность: 4653 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT3800P06M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
31.35 
Доступность: 51 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT520P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -15А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23-3 МонтажSMD
39.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT600P03M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяBXT900P06D
100.92 
Доступность: 2487 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT900P06D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTO252 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CDD10P06, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7А; 40Вт; TO252" 1.

Обозначение производителяCPH6337-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
36.70 
Доступность: 2639 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6337-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 376.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT26
106.27 
Доступность: 264 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6341-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
101.68 
Доступность: 2573 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6350-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -24А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
272.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22204WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
112.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22205LT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -7,4А; Idm: -71А; 0,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
282.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22206WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -108А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
211.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23202W10T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,2А; Idm: -25А; 1Вт; DSBGA4" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23203WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
147.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
240.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
183.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
93.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
305.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж