Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 11

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
266.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
82.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
114.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVSONP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
147.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,9нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
309.63 
Доступность: 373 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
196.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
84.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
48.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005P04PW-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005P04PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
96.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI006P02PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -36А; 2Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
64.22 
Доступность: 4056 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI020P06PT-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
116.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI020P06PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусDPAK МонтажSMD
120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI022P06D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -16,1А; Idm: 60А; 43Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусDPAK МонтажSMD
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI022P06D1-Q, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -16,1А; Idm: 60А; 43Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI028P03PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -28А; Idm: -80А; 40Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
142.20 
Доступность: 260 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI035P02PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж