Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 12

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяDI035P04PT-AQ КорпусQFN3X3
151.31 
Доступность: 4861 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI035P04PT-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяDI035P04PT КорпусQFN3X3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI035P04PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяDI040P04D1-AQ КорпусDPAK, TO252AA
275.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI040P04D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -160А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяDI040P04D1 КорпусDPAK, TO252AA
155.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI040P04D1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -160А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяDI040P04PT-AQ КорпусQFN3X3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI040P04PT-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; Idm: -160А; 22,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяDI040P04PT КорпусQFN3X3
195.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI040P04PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; Idm: -160А; 22,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяDI050P02PT КорпусQFN3X3
153.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI050P02PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -31А; Idm: -180А; 35,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяDI050P03PT КорпусQFN3X3
92.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI050P03PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А; 39Вт; QFN3X3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяDI064P04D1-AQ КорпусDPAK, TO252AA
223.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI064P04D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -350А; 48,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяDI064P04D1 КорпусDPAK, TO252AA
187.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI064P04D1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -350А; 48,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяDI068P04D1-AQ КорпусDPAK, TO252AA
343.20 
Доступность: 2433 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI068P04D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -43А; Idm: -300А; 54Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяDI068P04D1 КорпусDPAK, TO252AA
210.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI068P04D1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -43А; Idm: -300А; 54Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяDI070P04PQ-AQ КорпусQFN5x6
131.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI070P04PQ-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -300А; 46Вт; QFN5x6" 5000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяDI070P04PQ КорпусQFN5x6
193.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI070P04PQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -300А; 46Вт; QFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62,1нC Код производителяDI077P06D1 КорпусDPAK, TO252AA
224.85 
Доступность: 2120 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI077P06D1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; Idm: -328А; 110Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC Код производителяDI6A7P02SQ КорпусSO8
131.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI6A7P02SQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; -6,7А; Idm: -27А; 2,5Вт; SO8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента Код производителяDMG1013T-7 КорпусSOT523
32.97 
Доступность: 1816 шт.
 

Минимальное количество для товара "DMG1013T-7, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,33А; Idm: -6А; 0,27Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента Заряд затвора580пC Код производителяDMG1013TQ-7 КорпусSOT523
52.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DMG1013TQ-7, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -330мА; Idm: -6А; 270мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента Код производителяDMG1013UW-7 КорпусSOT323
49.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DMG1013UW-7, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,54А; 0,31Вт; SOT323; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 13 дюймов, лента Заряд затвора622,4пC Код производителяDMG1013UWQ-13 КорпусSOT323
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DMG1013UWQ-13, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -540мА; Idm: -3А; 310мВт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж