Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 9

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы с каналом P SMD
Транзисторы с каналом P THT
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
BSZ086P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ086P03NS3EGATMA
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ086P03NS3EGATMA КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
60.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ086P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

BSZ086P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ086P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ086P03NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ086P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ120P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ120P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ120P03NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ120P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ180P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ180P03NS3EGATMA
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ180P03NS3EGATMA КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ180P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ180P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ180P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSZ180P03NS3GATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
181.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ180P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BUK4D38-20PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт
0.0
BUK4D38-20PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяBUK4D38-20PX КорпусDFN6, SOT1220
120.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK4D38-20PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт" 1.

BUK6D120-60PX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -32А; 15Вт
0.0
BUK6D120-60PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяBUK6D120-60PX КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
135.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D120-60PX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -32А; 15Вт" 1.

BUK6D43-40PX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -40В; -8,9А; Idm: -56А; 15Вт
0.0
BUK6D43-40PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяBUK6D43-40PX КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
100.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D43-40PX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -40В; -8,9А; Idm: -56А; 15Вт" 1.

BUK6Y10-30PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -57А; Idm: -320А; 110Вт
0.0
BUK6Y10-30PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяBUK6Y10-30PX КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
240.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6Y10-30PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -57А; Idm: -320А; 110Вт" 1.

BUK6Y14-40PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт
0.0
BUK6Y14-40PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяBUK6Y14-40PX КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
370.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6Y14-40PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт" 1.

BUK6Y19-30PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -32А; Idm: -181А; 66Вт
0.0
BUK6Y19-30PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяBUK6Y19-30PX КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
258.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6Y19-30PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -32А; Idm: -181А; 66Вт" 1.

BUK6Y24-40PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; Idm: -155А; 66Вт
0.0
BUK6Y24-40PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяBUK6Y24-40PX КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
258.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6Y24-40PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; Idm: -155А; 66Вт" 1.

BUK6Y33-60PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -21А; Idm: -120А; 110Вт
0.0
BUK6Y33-60PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяBUK6Y33-60PX КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
284.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6Y33-60PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -21А; Idm: -120А; 110Вт" 1.

BUK6Y61-60PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -17,7А; Idm: -100А; 66Вт
0.0
BUK6Y61-60PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяBUK6Y61-60PX КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
219.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6Y61-60PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -17,7А; Idm: -100А; 66Вт" 1.

BVSS84LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23
0.0
BVSS84LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяBVSS84LT1G КорпусSOT23 МонтажSMD
71.85 ₽
Доступность: 2966 шт.
 

Минимальное количество для товара "BVSS84LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23" 1.

BXT040P04M, Транзистор: P-MOSFET; полевой
0.0
BXT040P04M
Вид каналаобогащенный Код производителяBXT040P04M МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
74.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT040P04M, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

BXT1080P06B, Транзистор: P-MOSFET; полевой
0.0
BXT1080P06B
Вид каналаобогащенный Код производителяBXT1080P06B МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
68.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT1080P06B, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

BXT1100P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой
0.0
BXT1100P02M
Вид каналаобогащенный Код производителяBXT1100P02M МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
74.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT1100P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

BXT110P03E, Транзистор: P-MOSFET; полевой
0.0
BXT110P03E
Вид каналаобогащенный Код производителяBXT110P03E МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
96.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT110P03E, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

BXT1700P06M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -16А; 1,5Вт
0.0
BXT1700P06M
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяBXT1700P06M КорпусSOT23-3
39.73 ₽
Доступность: 5534 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT1700P06M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -16А; 1,5Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж