Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 23

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
104.28 
Доступность: 1293 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN338P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
70.52 
Доступность: 8357 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN340P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
102.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDN352AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
97.52 
Доступность: 193 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN358P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
96.77 
Доступность: 7244 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN360P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
87.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDN86265P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,8А; 1,5Вт; SuperSOT-3" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8 МонтажSMD
138.78 
Доступность: 1623 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусSO8 МонтажSMD
282.07 
Доступность: 2409 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS4465, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -13,5А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSO8 МонтажSMD
246.06 
Доступность: 192 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS4675, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
158.29 
Доступность: 750 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS4685, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
191.30 
Доступность: 1428 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS4935A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSO8 МонтажSMD
171.04 
Доступность: 758 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS6375, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
277.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS6575, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
262.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS6576, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
238.56 
Доступность: 1792 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS6673BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSO8 МонтажSMD
156.04 
Доступность: 1958 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS6675BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусSO8 МонтажSMD
231.06 
Доступность: 195 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS6679AZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC КорпусSO8 МонтажSMD
361.59 
Доступность: 753 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS6681Z, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
135.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS9400A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,4А; Idm: -10А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
159.79 
Доступность: 616 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS9435A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,3А; 2,5Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж