Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.27

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
MMFTP84K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
17.60 
Доступность: 2500 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

0.0
MMFTP84W-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
19.20 
Доступность: 2557 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

0.0
NDS0605
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
41.60 
Доступность: 578 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS0605, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
NDS0610
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток-60В
30.40 
Доступность: 1197 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS0610, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
NDS332P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
84.80 
Доступность: 2325 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS332P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
NDS352AP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
84.80 
Доступность: 314 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS352AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
NDT2955
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
132.00 
Доступность: 3687 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT2955, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NDT452AP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
184.80 
Доступность: 3922 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT452AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NTA4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
36.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTA4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75" 1.

0.0
NTD20P06LT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
164.80 
Доступность: 2829 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD20P06LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15,5А; 65Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD25P03LT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
192.00 
Доступность: 711 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD25P03LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -25А; 75Вт; DPAK" 1.

0.0
NTDV20P06LT4G-VF01
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
156.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTDV20P06LT4G-VF01, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 60В; 15,5А; Idm: 50А; 65Вт; DPAK" 1.

0.0
NTE4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
18.40 
Доступность: 5410 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89" 1.

0.0
NTF2955T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
210.40 
Доступность: 1246 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,3Вт; SOT223" 1.

0.0
NTGS3136PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
189.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3136PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3433T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
136.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3433T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3441T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
98.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3441T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,35А; 1Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3443T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
94.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3443T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; 1Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS3455T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
65.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3455T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; 2Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTGS4111PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
66.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS4111PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6" 1.

0.0
NTHD3101FT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET МонтажSMD
154.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTHD3101FT1G, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А" 1.

0.0
NTJS3151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
70.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт" 1.

0.0
NTJS4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
48.80 
Доступность: 160 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт" 1.

0.0
NTK3139PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
34.40 
Доступность: 1845 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж