Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 34

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
156.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA905P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -10А; 2,4Вт; WDFN6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусMicroFET
204.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA908PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А; 2,4Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусMicroFET МонтажSMD
162.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA910PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,4А; Idm: -45А; 2,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусMLP8 МонтажSMD
215.60 
Доступность: 2428 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMC4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; 31Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора109нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
168.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC4D9P20X8, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -47А; Idm: -335А; 40Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусMLP8 МонтажSMD
437.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC510P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; 41Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусMLP8 МонтажSMD
220.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC510P-F106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -50А; 41Вт; MLP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
204.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC5614P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -13,5А; 42Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора99нC КорпусPower33 МонтажSMD
358.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC610P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -80А; Idm: -200А; 48Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусWDFN8 МонтажSMD
256.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC6675BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; Idm: -32А; 36Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC6679AZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; 41Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусPower33 МонтажSMD
272.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC6686P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -56А; Idm: -377А; 40Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
442.66 
Доступность: 1260 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMC86139P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 40Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPower33 МонтажSMD
427.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC86259P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -13А; Idm: -20А; 62Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPower33 МонтажSMD
351.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC86261P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -9А; Idm: -20А; 40Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPower33 МонтажSMD
217.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC86265P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1,65А; Idm: -9А; 16Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусMicroFET МонтажSMD
144.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME510PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -15А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусMicroFET МонтажSMD
183.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME905PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусuDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
144.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME910PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPower56 МонтажSMD
201.83 
Доступность: 2347 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMS4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -50А; 39Вт; Power56" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж