Производитель
0.0
SI2303CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍98‍ 
Доступность: 1750 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2305B-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍56‍ 
Доступность: 5723 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2305CDS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍23‍ 
Доступность: 3 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI2305CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍82‍ 
Доступность: 2048 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI2307-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍72‍ 
Доступность: 3083 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт" 1.

0.0
SI2307BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍147‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2307CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍112‍ 
Доступность: 2514 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2309CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍108‍ 
Доступность: 1211 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2315BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍88‍ 
Доступность: 14 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2315BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍128‍ 
Доступность: 2260 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2319CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍129‍ 
Доступность: 4077 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2319DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍98‍ 
Доступность: 448 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А" 1.

0.0
SI2319DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍182‍ 
Доступность: 2663 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А" 1.

0.0
SI2319DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍127‍ 
Доступность: 1928 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

0.0
SI2323CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍97‍ 
Доступность: 1685 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2323DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍116‍ 
Доступность: 2539 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2323DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍73‍ 
Доступность: 205 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 3.

0.0
SI2323DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍167‍ 
Доступность: 63 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2325DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍240‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт" 1.

0.0
SI2325DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍250‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2329DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍117‍ 
Доступность: 2535 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2333-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍39‍ 
Доступность: 8792 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2333-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,1Вт" 1.

0.0
SI2333CDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍110‍ 
Доступность: 1385 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI2333CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍131‍ 
Доступность: 2595 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,7А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)