Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.40

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI4435FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSO8 МонтажSMD
75.19 
Доступность: 1421 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А" 1.

0.0
SI4447ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
117.83 
Доступность: 339 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -7,2А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI4447DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
134.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

0.0
SI4455DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
268.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4455DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8" 1.

0.0
SI4459ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусSO8 МонтажSMD
358.14 
Доступность: 2548 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4459ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -23,5А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4463BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSO8 МонтажSMD
158.14 
Доступность: 760 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11,1А; 3Вт; SO8" 1.

0.0
SI4463CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC КорпусSO8 МонтажSMD
179.07 
Доступность: 63 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А" 1.

0.0
SI4483ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
175.19 
Доступность: 1682 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4483ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,4А; 3,8Вт; SO8" 1.

0.0
SI4497DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD
334.88 
Доступность: 2393 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4497DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4825DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусSO8 МонтажSMD
182.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4825DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -14,9А; Idm: -60А" 1.

0.0
SI4835DDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
231.78 
Доступность: 2493 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,7А; 5,6Вт; SO8" 1.

0.0
SI4835DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
112.40 
Доступность: 584 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; Idm: -50А; 3,6Вт; SO8" 5.

0.0
SI4948BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
210.85 
Доступность: 2144 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8" 1.

0.0
SI5419DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

0.0
SI5457DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
75.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI5618-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
69.77 
Доступность: 527 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

0.0
SI5618A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.32 
Доступность: 1677 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

0.0
SI7101DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
229.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

0.0
SI7113DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
251.16 
Доступность: 737 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт" 1.

0.0
SI7115DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
324.03 
Доступность: 1843 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт" 1.

0.0
SI7119DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
197.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт" 1.

0.0
SI7121ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
125.58 
Доступность: 1864 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7121ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А; 17,8Вт" 1.

0.0
SI7145DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора413нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
322.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7145DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -100А" 1.

0.0
SI7149ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,1нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
132.56 
Доступность: 3536 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7149ADP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 31Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж