Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2333DDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍103‍ ₽

Доступность: 199 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI2333DS-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍144‍ ₽

Доступность: 2324 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

SI2333DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI2333DS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍147‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

SI2337DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -2,2А; Idm: -7А; 1,6Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2337DS-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍167‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI2337DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -2,2А; Idm: -7А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2337DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,75А; 1,6Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2337DS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍207‍ ₽

Доступность: 1961 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI2337DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,75А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2343CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,9А; Idm: -25А; 1,6Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2343CDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍110‍ ₽

Доступность: 1602 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI2343CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,9А; Idm: -25А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2343DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А

0.0

КОД:

SI2343DS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍138‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI2343DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А" 1.

SI2347DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2347DS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍65‍ ₽

Доступность: 2856 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI2347DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2365EDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,9А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI2365EDS-T1-BE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍65‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI2365EDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,9А; Idm: -20А" 1.

SI2365EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2365EDS-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23

‍60‍ ₽

Доступность: 1870 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI2365EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2367DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2367DS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍103‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI2367DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2369BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SI2369BDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍92‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI2369BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2369DS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍86‍ ₽

Доступность: 2121 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2371EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2371EDS-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23

‍70‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI2371EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2377EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23; ESD

0.0

КОД:

SI2377EDS-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,6нC КорпусSOT23

‍109‍ ₽

Доступность: 1850 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI2377EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23; ESD" 1.

SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А

0.0

КОД:

SI2387DS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍85‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А" 1.

SI2393DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SI2393DS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍86‍ ₽

Доступность: 594 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI2393DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

SI2399DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2399DS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍77‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI2399DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI3127DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI3127DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍95‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI3127DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А" 1.

SI3401A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,2А; Idm: -30А; 1,3Вт

0.0

КОД:

SI3401A-TP

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSOT23 МонтажSMD

‍61‍ ₽

Доступность: 3103 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI3401A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,2А; Idm: -30А; 1,3Вт" 1.

SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6

0.0

КОД:

SI3407DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍66‍ ₽

Доступность: 2631 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

SI3417DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SI3417DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍107‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI3417DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SI3421DV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍115‍ ₽

Доступность: 2812 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI3433CDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍82‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.