Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 38

Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора135нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
477.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80P04P4L04ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD042P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -70А; Idm: -280А; 150Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
176.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD068P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -70А; 100Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50P03P4L11ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50P04P413ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -45А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора14нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...5В
227.06 
Доступность: 2356 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD50P04P4L11ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80P03P4L07ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -65А; Idm: -320А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90P03P4L04ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -90А; Idm: -360А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-55В
602.45 
Доступность: 4249 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF4905STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-55В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF4905STRRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -44А; Idm: -280А; 170Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-100В
588.69 
Доступность: 1088 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF5210STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF5210STRRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-55В
333.33 
Доступность: 3292 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF5305STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение сток-исток-40В
81.80 
Доступность: 6150 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF5803TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,4А; 1,3Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-150В
240.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF6215STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -13А; 110Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-150В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF6216TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,2А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-150В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF6218STRLPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -27А; 250Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
99.39 
Доступность: 4180 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7205TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-40В
204.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7240TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -10,5А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-40В
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7241TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6,2А; 2,5Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж