Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.39

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RAF040P01TCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусTUMT3
101.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RAF040P01TCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RAL035P01TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTUMT6
109.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RAL035P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TUMT6" 1.

0.0
RAQ045P01TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусTSMT6
92.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RAQ045P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RD3G01BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
179.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт" 1.

0.0
RD3G03BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
252.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3G03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

0.0
RD3H045SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
184.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3H045SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -4,5А; Idm: -9А; 15Вт" 1.

0.0
RD3H160SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
269.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3H160SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт" 1.

0.0
RD3L01BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
190.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3L01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; Idm: -20А; 26Вт" 1.

0.0
RD3L03BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
236.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3L03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

0.0
RD3L140SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
262.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RD3L140SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт" 1.

0.0
RE1C001ZPTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD
34.78 
Доступность: 1867 шт.
+

Минимальное количество для товара "RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт" 1.

0.0
RE1C002ZPTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT416F МонтажSMD
47.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

0.0
RE1E002SPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
41.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт" 1.

0.0
RF4C050APTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
117.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

0.0
RF4C100BCTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
159.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт" 1.

0.0
RF4E075ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
116.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт" 1.

0.0
RF4G060ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
163.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

0.0
RF4L040ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
98.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RF4L040ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

0.0
RF6C055BCTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC КорпусSOT363T МонтажSMD
161.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RF6C055BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T" 1.

0.0
RQ1A060ZPTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
173.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "RQ1A060ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж