Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 58

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
223.80 
Доступность: 1192 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
648.95 
Доступность: 721 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
586.08 
Доступность: 18 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM120P06-07L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора141нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
89.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,2нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
133.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS401EN-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
12.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3J16FS(TE85L,F), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; 0,1Вт; SC75" 15000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC КорпусSOT23F
27.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3J327R,LF(B, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F; ESD" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,8нC КорпусSOT23F
61.38 
Доступность: 360 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM3J328R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F; ESD" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23F МонтажSMD
21.71 
Доступность: 2660 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM3J331R,LF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F; ESD" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусSOT23F
29.94 
Доступность: 3685 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM3J332R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1Вт; SOT23F; ESD" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,9нC КорпусSOT23F
57.63 
Доступность: 6130 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM3J334R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1Вт; SOT23F; ESD" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23F МонтажSMD
26.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3J355R,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: 24А; 2Вт; SOT23F; ESD" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусCST3C МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
26.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3J35CTC,L3F(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,25А; 500мВт; CST3C" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,9нC КорпусuDFN6
77.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM6J501NU,LF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -30А; 1Вт; uDFN6; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,8нC КорпусuDFN6
45.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM6J502NU,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; uDFN6; ESD" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,8нC КорпусuDFN6 МонтажSMD
45.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM6J503NU,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; uDFN6" 3.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусuDFN6
74.85 
Доступность: 4875 шт.
 

Минимальное количество для товара "SSM6J511NU,LF(T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 1,25Вт; uDFN6; ESD" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
214.82 
Доступность: 291 шт.
 

Минимальное количество для товара "STD10P6F6, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7,2А; 35Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
232.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STD26P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,5А; 40Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
315.87 
Доступность: 835 шт.
 

Минимальное количество для товара "STD35P6LLF6, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -25А; 70Вт; DPAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж