Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 65

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы с каналом P SMD
Транзисторы с каналом P THT
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SI2305CDS-T1-GE3, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А
0.0
SI2305CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI2305CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
76.53 ₽
Доступность: 2473 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт
0.0
SI2307-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC Код производителяSI2307-TP КорпусSOT23
75.68 ₽
Доступность: 333 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт" 1.

SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2307BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяSI2307BDS-T1-E3 КорпусSOT23
162.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23
0.0
SI2307CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC Код производителяSI2307CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
78.23 ₽
Доступность: 7897 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23" 1.

SI2309CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А
0.0
SI2309CDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC Код производителяSI2309CDS-T1-E3 КорпусSOT23
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А" 1.

SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2309CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC Код производителяSI2309CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
134.35 ₽
Доступность: 12072 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23
0.0
SI2315BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяSI2315BDS-T1-E3 КорпусSOT23
0.00 ₽
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23" 1.

SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2315BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяSI2315BDS-T1-GE3 КорпусSOT23
141.16 ₽
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

SI2319CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,4А; Idm: -20А
0.0
SI2319CDS-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI2319CDS-T1-BE3 КорпусSOT23
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,4А; Idm: -20А" 1.

SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2319CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC Код производителяSI2319CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
148.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А
0.0
SI2319DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI2319DDS-T1-GE3 КорпусSOT23
90.14 ₽
Доступность: 1144 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А" 1.

SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А
0.0
SI2319DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI2319DS-T1-E3 КорпусSOT23
200.68 ₽
Доступность: 2997 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А" 1.

SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А
0.0
SI2319DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI2319DS-T1-GE3 КорпусSOT23
140.31 ₽
Доступность: 1724 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

SI2323CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А
0.0
SI2323CDS-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI2323CDS-T1-BE3 КорпусSOT23
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2323CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI2323CDS-T1-GE3 КорпусSOT23
138.61 ₽
Доступность: 577 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2323DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC Код производителяSI2323DDS-T1-GE3 КорпусSOT23
119.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
0.0
SI2323DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI2323DS-T1-E3 КорпусSOT23
80.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 3.

SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
0.0
SI2323DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI2323DS-T1-GE3 КорпусSOT23
183.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт
0.0
SI2325DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI2325DS-T1-E3 КорпусSOT23
285.71 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт" 1.

SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2325DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC Код производителяSI2325DS-T1-GE3 КорпусSOT23
273.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж