Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 60

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
477.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P04-09L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
513.47 
Доступность: 2643 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
517.22 
Доступность: 2296 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
429.64 
Доступность: 2743 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P08-25L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -50А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
439.37 
Доступность: 906 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -37,1А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
525.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -36,4А; Idm: -40А; 72,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35мкC КорпусTO263 МонтажSMD
517.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-04L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -110А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора280нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
767.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-05-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -33А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора345нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
678.14 
Доступность: 1339 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-07L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -110А; Idm: -240А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора240нC КорпусTO263 МонтажSMD
550.15 
Доступность: 1229 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-08L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -110А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
801.65 
Доступность: 215 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора115нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
532.19 
Доступность: 1600 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM55P06-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -31А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора218нC КорпусTO263 МонтажSMD
675.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60061EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусTO263 МонтажSMD
528.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70101EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора326нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
518.71 
Доступность: 561 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM90P10-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А; 125Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора156нC КорпусDPAK
141.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ60S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK" 2000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT23
77.84 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.34 
Доступность: 127 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
169.91 
Доступность: 24 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
247.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж