Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 67

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC Код производителяSI2387DS-T1-GE3 КорпусSOT23
109.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC Код производителяSI2393DS-T1-GE3 КорпусSOT23
105.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2393DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI2399DS-T1-GE3 КорпусSOT23
113.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2399DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI3127DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
130.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3127DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI3129DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3129DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -5,4А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSI3401A-TP КорпусSOT23
65.48 
Доступность: 509 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3401A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,2А; Idm: -30А; 1,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC Код производителяSI3407DV-T1-BE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3407DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI3407DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
79.93 
Доступность: 2518 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI3417DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
131.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3417DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяSI3421DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
133.50 
Доступность: 1129 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,2нC Код производителяSI3429EDV-T1-GE3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3429EDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; Idm: -40А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSI3433CDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSI3433CDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
94.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI3437DV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3437DV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,4А; Idm: -5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSI3437DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
188.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3437DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,4А; Idm: -5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяSI3443BDV-T1-E3 КорпусTSOP6
61.22 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3443BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,3Вт; TSOP6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяSI3443BDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,4нC Код производителяSI3443CDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,97А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,53нC Код производителяSI3443CDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
136.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 2,05Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI3443DDV-T1-BE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443DDV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -20А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж