Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 84

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора55,3нC Код производителяSQD45P03-12_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
443.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSQD50P06-15L_GE3 КорпусDPAK, TO252
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50P06-15L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -200А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора145нC Код производителяSQD50P08-28_GE3 КорпусDPAK, TO252
613.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC Код производителяSQJ409EP-T1_BE3 МонтажSMD
153.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ409EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -60А; Idm: -150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC Код производителяSQJ431AEP-T1_BE3 МонтажSMD
188.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ431AEP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -9,4А; Idm: -60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC Код производителяSQJ431EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
346.09 
Доступность: 522 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ431EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSQJ443EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
216.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ443EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSQJ457EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ457EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -36А; Idm: -100А; 22Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC Код производителяSQJ459EP-T1_BE3 МонтажSMD
147.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ459EP-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC Код производителяSQJ459EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ459EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -52А; Idm: -200А; 27Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC Код производителяSQJ461EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ461EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; Idm: -120А; 27Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSQJ463EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ463EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -30А; Idm: -120А; 28Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC Код производителяSQJ465EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
218.54 
Доступность: 2748 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ465EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSQJ481EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
254.25 
Доступность: 1091 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQJ481EP-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC Код производителяSQM100P10-19L_GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
737.24 
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC Код производителяSQM120P06-07L_GE3 КорпусD2PAK, TO263
665.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM120P06-07L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора141нC Код производителяSQS141ELNW-T1_GE3 МонтажSMD
102.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,2нC Код производителяSQS401EN-T1_GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
151.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS401EN-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяSSM3J16FS(TE85L,F) КорпусSC75 МонтажSMD
14.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3J16FS(TE85L,F), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; 0,1Вт; SC75" 15000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC Код производителяSSM3J327R,LF(B
31.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3J327R,LF(B, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F; ESD" 5.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж