Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 86

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяSTL60P4LLF6 МонтажSMD Полярностьполевой
363.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL60P4LLF6, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяSTL6P3LLH6 МонтажSMD Полярностьполевой
288.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL6P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяSTL8P4LLF6 МонтажSMD Полярностьполевой
196.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STL8P4LLF6, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяSTN3P6F6 КорпусSOT223
149.66 
Доступность: 1963 шт.
 

Минимальное количество для товара "STN3P6F6, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяSTR2P3LLH6 КорпусSOT23
117.35 
Доступность: 1317 шт.
 

Минимальное количество для товара "STR2P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; полевой; -30В; -1,2А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSTS5P3LLH6 КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
177.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STS5P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; STripFET™ H6; полевой; -30В; -3,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSUD08P06-155L-GE3 КорпусDPAK, TO252
268.71 
Доступность: 234 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD08P06-155L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -8,2А; Idm: -18А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34,8нC Код производителяSUD09P10-195-BE3 КорпусDPAK, TO252
104.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD09P10-195-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -8,8А; Idm: -15А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34,8нC Код производителяSUD09P10-195-GE3 КорпусDPAK, TO252
152.21 
Доступность: 492 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD09P10-195-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,8А; Idm: -15А; 32,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSUD19P06-60-E3 КорпусDPAK, TO252
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD19P06-60-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,3А; Idm: -30А; 38,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора26нC Код производителяSUD19P06-60-GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
169.22 
Доступность: 1865 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD19P06-60-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,19А; 2,3Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSUD19P06-60L-E3 КорпусDPAK, TO252
159.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD19P06-60L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -19А; Idm: -30А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора112нC Код производителяSUD40151EL-GE3 КорпусDPAK, TO252
239.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD40151EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -42А; Idm: -100А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора159нC Код производителяSUD50P04-08-GE3 КорпусDPAK, TO252
357.14 
Доступность: 2067 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P04-08-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 73,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSUD50P04-09L-E3 КорпусDPAK, TO252
542.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P04-09L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC Код производителяSUD50P06-15-GE3 КорпусDPAK, TO252
583.33 
Доступность: 1090 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC Код производителяSUD50P06-15L-E3 КорпусDPAK, TO252
587.59 
Доступность: 1320 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P06-15L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSUD50P08-25L-E3 КорпусDPAK, TO252
488.10 
Доступность: 1250 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P08-25L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -50А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSUD50P10-43L-E3 КорпусDPAK, TO252
499.15 
Доступность: 831 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -37,1А; Idm: -40А; 95Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSUD50P10-43L-GE3 КорпусDPAK, TO252
596.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUD50P10-43L-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -36,4А; Idm: -40А; 72,7Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж