Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 87

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35мкC Код производителяSUM110P04-04L-E3 КорпусTO263
587.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-04L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -110А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора280нC Код производителяSUM110P04-05-E3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
871.60 
Доступность: 681 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-05-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -33А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора345нC Код производителяSUM110P06-07L-E3 КорпусD2PAK, TO263
770.41 
Доступность: 2448 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-07L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -110А; Idm: -240А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора240нC Код производителяSUM110P06-08L-E3 КорпусTO263
625.00 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-08L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -110А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC Код производителяSUM110P08-11L-E3 КорпусD2PAK, TO263
910.71 
Доступность: 172 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора115нC Код производителяSUM55P06-19L-E3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
604.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM55P06-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -31А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора218нC Код производителяSUM60061EL-GE3 КорпусTO263
767.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60061EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC Код производителяSUM70101EL-GE3 КорпусTO263
600.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70101EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора326нC Код производителяSUM90P10-19L-E3 КорпусD2PAK, TO263
589.29 
Доступность: 429 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM90P10-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А; 125Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяTJ15S06M3L(T6L1,NQ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ15S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15А; 41Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяTJ30S06M3L,LXHQ(O
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ30S06M3L,LXHQ(O, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора156нC Код производителяTJ60S06M3L(T6L1,NQ
160.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ60S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK" 2000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяTP0610K-T1-GE3
88.44 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяTP0610T-G КорпусSOT23-3 МонтажSMD
235.54 
Доступность: 85 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяTP2104K1-G КорпусSOT23-3 МонтажSMD
193.03 
Доступность: 3024 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяTP2435N8-G КорпусSOT89-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2435N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,8А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяTP2502N8-G КорпусSOT89-3 МонтажSMD
280.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяTP2510N8-G КорпусSOT89-3 МонтажSMD
255.95 
Доступность: 3477 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяTP2520N8-G КорпусSOT89-3 МонтажSMD
284.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяTP2522N8-G КорпусSOT89-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2522N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж