Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 83

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC Код производителяSQ2337ES-T1_GE3 КорпусSOT23
156.46 
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2337ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC Код производителяSQ2351ES-T1_GE3 КорпусSOT23
130.95 
Доступность: 197 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2351ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяSQ2361AEES-T1_GE3
222.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2361AEES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSQ2361ES-T1_GE3 КорпусSOT23
147.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2361ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSQ2389ES-T1_GE3 КорпусSOT23
115.65 
Доступность: 68 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2389ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,3нC Код производителяSQ3419EV-T1_GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3419EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -6,9А; Idm: -27А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSQ3427AEEV-T1_GE3
206.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3427AEEV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSQ3427EV-T1_GE3 КорпусTSOP6
197.28 
Доступность: 1196 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3427EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSQ3457EV-T1_BE3 КорпусTSOP6
61.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSQ3457EV-T1_GE3 КорпусTSOP6
106.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSQ3461EV-T1_GE3 КорпусTSOP6
210.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3461EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,6А; 1,67Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC Код производителяSQ3481EV-T1_BE3 КорпусTSOP6
61.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3481EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяSQ3493EV-T1_GE3 КорпусTSOP6
67.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3493EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А; 5Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора151нC Код производителяSQ4153EY-T1_GE3 КорпусSO8
385.20 
Доступность: 2256 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ4153EY-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC Код производителяSQA401EEJ-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SC70
159.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA401EEJ-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,55А; 4,5Вт; PowerPAK® SC70" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяSQA405CEJW-T1_GE3 МонтажSMD
34.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA405CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -9А; Idm: -36А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC Код производителяSQA411CEJW-T1_GE3 МонтажSMD
39.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA411CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSQA413CEJW-T1_GE3 МонтажSMD
31.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора27нC Код производителяSQD19P06-60L_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
372.45 
Доступность: 2376 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора186нC Код производителяSQD40031EL_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
385.20 
Доступность: 2500 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж