Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 87

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35мкC КорпусTO263 МонтажSMD
480.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-04L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -110А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора280нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
640.67 
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-05-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -33А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора345нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
574.92 
Доступность: 502 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-07L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -110А; Idm: -240А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора240нC КорпусTO263 МонтажSMD
533.64 
Доступность: 1239 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-08L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -110А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
743.12 
Доступность: 401 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора115нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
385.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM55P06-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -31А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора218нC КорпусTO263 МонтажSMD
626.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60061EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусTO263 МонтажSMD
489.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM70101EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора326нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
547.40 
Доступность: 571 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM90P10-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А; 125Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ15S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15А; 41Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ30S06M3L,LXHQ(O, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора156нC КорпусDPAK
131.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TJ60S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK" 2000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT23
72.63 
Доступность: 43 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
192.66 
Доступность: 127 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
157.49 
Доступность: 124 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2435N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,8А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
209.48 
Доступность: 1220 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
232.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2522N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж