Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 82

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы с каналом P SMD
Транзисторы с каналом P THT
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SMMBFJ177LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой
0.0
SMMBFJ177LT1G
Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBFJ177LT1G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
55.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ177LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB18P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPB18P06PGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
286.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB80P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPB80P06PGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
779.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD04P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD04P10PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
105.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD04P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD04P10PLGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
220.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD08P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD08P06PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
149.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD09P06PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD09P06PLGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
222.79 ₽
Доступность: 1351 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD15P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD15P10PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
380.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD15P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD15P10PLGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
316.33 ₽
Доступность: 2134 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD18P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD18P06PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
254.25 ₽
Доступность: 2331 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD30P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD30P06PGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
340.14 ₽
Доступность: 500 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD50P03LGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5
0.0
SPD50P03LGBTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPD50P03LGBTMA1 КорпусPG-TO252-5 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
433.67 ₽
Доступность: 1135 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50P03LGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5" 1.

SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD
0.0
SQ1421EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC Код производителяSQ1421EDH-T1_GE3
116.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD" 1.

SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт
0.0
SQ1431EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяSQ1431EH-T1_GE3 КорпусSC70-6, SOT363
153.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт" 1.

SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2301ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSQ2301ES-T1_GE3 КорпусSOT23
106.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А
0.0
SQ2303ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC Код производителяSQ2303ES-T1_GE3 КорпусSOT23
101.19 ₽
Доступность: 2870 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А" 1.

SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А
0.0
SQ2309ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC Код производителяSQ2309ES-T1_GE3 КорпусSOT23
107.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А" 1.

SQ2315ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23
0.0
SQ2315ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSQ2315ES-T1_GE3 КорпусSOT23
118.20 ₽
Доступность: 1212 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2315ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23" 1.

SQ2319ADS-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 0,5Вт; SOT23
0.0
SQ2319ADS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC Код производителяSQ2319ADS-T1_GE3 КорпусSOT23
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2319ADS-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 0,5Вт; SOT23" 1.

SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2325ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSQ2325ES-T1_GE3 КорпусSOT23
174.32 ₽
Доступность: 78 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж