Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 101

Производитель
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
156.44 
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
189.37 
Доступность: 1629 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
161.68 
Доступность: 998 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3545N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
241.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора98нC КорпусTO3PN МонтажTHT
562.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCA20N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; Idm: 60А; 208Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора98нC КорпусTO3PN МонтажTHT
1 270.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCA20N60F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; Idm: 60А; 208Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора112нC КорпусTO3PN МонтажTHT
1 620.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCA36N60NF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22А; Idm: 104,7А; 312Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,27мкC КорпусTO3PN МонтажTHT
2 265.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCA47N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 29,7А; Idm: 141А; 417Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,27мкC КорпусTO3PN МонтажTHT
1 619.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCA47N60-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 29,7А; Idm: 141А; 417Вт; TO3PN" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
1 095.06 
Доступность: 639 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCB070N65S3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 44А; 312Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусD2PAK МонтажSMD
369.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCB11N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
925.15 
Доступность: 695 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCB20N60FTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC КорпусD2PAK МонтажSMD
610.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCB20N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
636.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCB290N80, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 212Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусDPAK МонтажSMD
166.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD3400N80Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,2А; Idm: 4А; 32Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
211.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD380N60E, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,4А; 106Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
362.28 
Доступность: 2462 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD4N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,5А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK МонтажSMD
286.68 
Доступность: 2478 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD5N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,9А; 54Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
134.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD7N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,4А; 83Вт; DPAK" 2500.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж