Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 144

Производитель
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN1509N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
159.79 
Доступность: 1612 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2450K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,7А; 2,5Вт; TO252" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
201.83 
Доступность: 1260 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2450N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,7А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
196.48 
Доступность: 1655 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2470K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 0,5А; 2,5Вт; TO252" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
134.56 
Доступность: 316 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2530N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 0,2А; 1,6Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
154.43 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2530N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 0,2А; 740мВт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
92.51 
Доступность: 260 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2535N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,15А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
194.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2535N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
194.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2535N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
341.74 
Доступность: 16 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2535N5-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,15А; 15Вт; TO220" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
191.90 
Доступность: 319 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
201.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2540N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
327.98 
Доступность: 41 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N5-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 500мА; Idm: 0,5А; 15Вт; TO220" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
270.64 
Доступность: 208 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 170мА; Idm: 0,5А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2625DK6-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; DFN8" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
347.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2625K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; 2,5Вт; TO252" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
159.79 
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3135N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 1,3Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3145N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,12А; 1,3Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
185.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж