Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 339

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8нC КорпусSOT323 МонтажSMD
54.28 
Доступность: 5455 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJC7400_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,9А; Idm: 7,6А; 350мВт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT323 МонтажSMD
64.22 
Доступность: 5990 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJC7404_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSOT323 МонтажSMD
34.40 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJC7428_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусSOT323 МонтажSMD
66.51 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJC7476_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 300мА; Idm: 0,8А; 350мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусTO252AA МонтажSMD
157.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJD18N20_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 72А; 83Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусTO252AA МонтажSMD
87.92 
Доступность: 4000 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJD25N03_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 100А; 25Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252AA МонтажSMD Обозначение производителяPJD25N04V-AU_L2_002A1
105.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJD25N04V-AU_L2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTO252AA МонтажSMD
87.16 
Доступность: 1527 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJD25N06A_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусTO252AA МонтажSMD
137.61 
Доступность: 209 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJD45N06A_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252AA МонтажSMD Обозначение производителяPJD55N04S-AU_L2_002A1
206.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJD55N04S-AU_L2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252AA МонтажSMD Обозначение производителяPJD55N04V-AU_L2_002A1
336.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJD55N04V-AU_L2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT523 МонтажSMD
31.35 
Доступность: 1819 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJE138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт; SOT523" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT523 МонтажSMD
62.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJE8402_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 700мА; Idm: 2,8А; 300мВт; SOT523" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT523 МонтажSMD
21.41 
Доступность: 3825 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJE8408_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTO263 МонтажSMD
383.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMB210N65EC_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 19А; Idm: 42А; 150Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTO263 МонтажSMD
411.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMB390N65EC_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC КорпусTO263 МонтажSMD
206.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMB390N65EC_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252AA МонтажSMD Обозначение производителяPJMD280N60E1_L2_00601
197.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD280N60E1_L2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,7нC КорпусTO252AA МонтажSMD
259.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD360N60EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; Idm: 23А; 87,5Вт; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTO252AA МонтажSMD
223.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJMD390N65EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 22А; 87,5Вт; TO252AA" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж