Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 342

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5520-AU_R2_002A1
363.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5520-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5522-AU_R2_002A1
308.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5522-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5528-AU_R2_002A1
119.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5528-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5534-AU_R2_002A1
121.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5534-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060X-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5540V-AU_R2_002A1
356.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5540V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060X-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
287.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5542V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 136А; Idm: 544А; 100Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
255.35 
Доступность: 1952 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJQ5544-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
265.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5544V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 480А; 94Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
178.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5546-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 85А; Idm: 340А; 68Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
185.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5546V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 79А; Idm: 316А; 65Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
160.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5548-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 48А; Idm: 192А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
146.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5548V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 45А; Idm: 180А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5576A-AU_R2_002A1
302.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5576A-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора5,1нC КорпусSOT223 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW4N06A-AU_R2_000A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 8А; 2,6Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусSOT223 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW4N06A_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 8А; 3,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
40.52 
Доступность: 6061 шт.
 

Минимальное количество для товара "PMBF170,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусWLCSP4
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMCM4401UNEZ, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 2,7А; Idm: 17А; WLCSP4" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусWLCSP4
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMCM4401VNEAZ, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 12В; 3А; Idm: 19А; WLCSP4; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусWLCSP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMCM6501VNEZ, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 12В; 4,6А; Idm: 29А; WLCSP6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,65нC КорпусSC70, SOT323
42.05 
Доступность: 6000 шт.
 

Минимальное количество для товара "PMF250XNEX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 4А; SC70,SOT323; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж