Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 45

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
211.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC042N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 82А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
196.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0503NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
47.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 66А; 50Вт; PG-TDSON-8" 2500.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
133.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 72А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
111.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 71А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
135.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC052N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 95А; 83Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
71.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC054N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 81А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
52.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC057N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 58А; 45Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток30В
52.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC057N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 71А; 45Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
100.53 
Доступность: 1064 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC080N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
76.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
48.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0902NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 91А; 48Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
147.04 
Доступность: 4452 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
118.53 
Доступность: 2399 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0906NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
139.53 
Доступность: 88 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 44А; 27Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
54.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0925NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 30Вт; PG-TISON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
126.78 
Доступность: 3145 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC093N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
47.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
44.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
228.06 
Доступность: 1409 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж