Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 5

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
2 842.51 
Доступность: 104 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK1317-E, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 100Вт; TO3P" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK208-GR(TE85L,F)
35.17 
Доступность: 8916 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK208-GR(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 6,5мА; 0,1Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK208-O(TE85L,F)
99.39 
Доступность: 10909 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK208-O(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 1,4мА; 0,1Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK209-BL(TE85L,F)
100.92 
Доступность: 2242 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK209-BL(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 14мА; 0,15Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK209-GR(TE85L,F)
90.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK209-GR(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 6,5мА; 0,15Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD
58.87 
Доступность: 471 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK3018-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT523 МонтажSMD
42.81 
Доступность: 2274 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK3019-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC62 МонтажSMD
100.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3065T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 0,5Вт; SC62; ESD" 1.

Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина Выходная мощность7,5Вт КорпусTO271AA
2 253.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3075(TE12L,Q), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 30В; 5А; 20Вт; TO271AA; SMT; 50%" 1.

Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность630мВт КорпусSOT89
336.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3475(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; Pвых: 630мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO220FP МонтажTHT
343.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3565(STA4,Q,M), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 5А; 45Вт; TO220FP" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO220FP
213.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3566(STA4,Q,M), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,5А; 40Вт; TO220FP; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC КорпусTO220FP
484.71 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK3799(Q,M), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 8А; 50Вт; TO220FP; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора45нC КорпусTO220FP МонтажTHT
346.33 
Доступность: 241 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK4013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 45Вт; TO220FP" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-15В Напряжение сток-исток15В
91.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK932-23-TB-E, Транзистор: N-JFET; полевой; 15В; 10мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-15В Напряжение сток-исток15В
139.91 
Доступность: 2142 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SK932-24-TB-E, Транзистор: N-JFET; полевой; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
16.06 
Доступность: 2735 шт.
 

Минимальное количество для товара "2V7002KT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,35Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
34.40 
Доступность: 3420 шт.
 

Минимальное количество для товара "2V7002LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусSC70, SOT323
31.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2V7002WT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,22А; Idm: 1,4А; 0,28Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность70Вт КорпусTO270WBG-4
4 590.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MP075GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 690Вт; TO270WBG-4; Pвых: 70Вт" 500.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж