Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 6

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность70Вт КорпусTO270WB-4
4 088.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MP075NR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 690Вт; TO270WB-4; Pвых: 70Вт; SMT" 500.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность4,9Вт КорпусSOT89
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MS004NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 28Вт; SOT89; Pвых: 4,9Вт; SMT" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность6Вт КорпусPLD-1.5W
1 041.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MS006NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 125Вт; PLD-1.5W; Pвых: 6Вт; SMT" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность33Вт КорпусTO270G-2
2 946.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT05MS031GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 294Вт; TO270G-2; Pвых: 33Вт; SMT" 500.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность57Вт КорпусTO270WBG-4
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT09MP055GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 625Вт; TO270WBG-4; Pвых: 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность57Вт КорпусTO270WB-4
6 535.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT09MP055NR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 625Вт; TO270WB-4; Pвых: 57Вт; SMT" 500.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность31Вт КорпусTO270G-2
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT09MS031GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 317Вт; TO270G-2; Pвых: 31Вт; SMT" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность31Вт КорпусTO270-2
2 665.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT09MS031NR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 317Вт; TO270-2; Pвых: 31Вт; SMT" 500.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность16,2Вт КорпусTO270G-2
7 037.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT20S015GNR1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; TO270G-2; 16,2Вт; SMT; 17,6дБ" 500.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность6Вт КорпусPLD-1.5W
2 546.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT27S006NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; PLD-1.5W; 6Вт; SMT; 22,8дБ; 19,8%" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность10Вт КорпусPLD-1.5W
3 027.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT27S010NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; PLD-1.5W; 10Вт; SMT; 21,8дБ; 23%" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность13Вт КорпусPLD-1.5W
3 488.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT27S012NT1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; PLD-1.5W; 13Вт; SMT; 20,9дБ" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность150Вт КорпусOM780-2
55 531.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFT31150NR5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 741Вт; OM780-2; Pвых: 150Вт; SMT" 50.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
3 857.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AIMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора1нC КорпусSOT23A-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
28.29 
Доступность: 277 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO3160, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,9нC КорпусSOT23A-3 МонтажSMD
29.82 
Доступность: 1425 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO3160E, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3; ESD" 5.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
16.06 
Доступность: 14949 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO3400A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23" 10.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
46.64 
Доступность: 1741 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO3402, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора3,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
102.45 
Доступность: 3004 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO3404A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора2нC КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
28.29 
Доступность: 2590 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO3406, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23" 5.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж