Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 87

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы многоканальные
Транзисторы с каналом типа P
Фильтры товаров
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
BXW60M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
BXW60M1K2H
Вид каналаобогащенный Код производителяBXW60M1K2H МонтажTHT Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
3 722.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXW60M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

BXW60M1K2J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт
0.0
BXW60M1K2J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора170нC Код производителяBXW60M1K2J КорпусTO247-4
4 433.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXW60M1K2J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт" 1.

C2M0025120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; 463Вт; TO247-3; 45нс
0.0
C2M0025120D
Вид каналаобогащенный Время готовности45нс Заряд затвора161нC Код производителяC2M0025120D КорпусTO247-3
18 944.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M0025120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; 463Вт; TO247-3; 45нс" 1.

C2M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; 330Вт; TO247-3; 54нс
0.0
C2M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC Код производителяC2M0040120D КорпусTO247-3
11 617.35 ₽
Доступность: 18 шт.
 

Минимальное количество для товара "C2M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; 330Вт; TO247-3; 54нс" 1.

C2M0045170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; 520Вт; TO247-3; 70нс
0.0
C2M0045170D
Вид каналаобогащенный Время готовности70нс Заряд затвора188нC Код производителяC2M0045170D КорпусTO247-3
23 010.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M0045170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; 520Вт; TO247-3; 70нс" 1.

C2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; 208Вт; TO247-3; 32нс
0.0
C2M0080120D
Вид каналаобогащенный Время готовности32нс Заряд затвора62нC Код производителяC2M0080120D КорпусTO247-3
5 911.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; 208Вт; TO247-3; 32нс" 1.

C2M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 17,7А; 125Вт; TO247-3
0.0
C2M0160120D
Вид каналаобогащенный Время готовности23нс Заряд затвора34нC Код производителяC2M0160120D КорпусTO247-3
2 151.36 ₽
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "C2M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 17,7А; 125Вт; TO247-3" 1.

C2M1000170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,9А; 69Вт; TO247-3; 20нс
0.0
C2M1000170D
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC Код производителяC2M1000170D КорпусTO247-3
2 051.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M1000170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,9А; 69Вт; TO247-3; 20нс" 1.

C2M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,3А; 78Вт; D2PAK-7; 20нс
0.0
C2M1000170J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC Код производителяC2M1000170J КорпусD2PAK-7
1 500.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C2M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,3А; 78Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт
0.0
C3M0015065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора188нC Код производителяC3M0015065K КорпусTO247-4 МонтажTHT
9 821.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт" 1.

C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт
0.0
C3M0016120K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора211нC Код производителяC3M0016120K КорпусTO247-4 МонтажTHT
11 632.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт" 1.

C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс
0.0
C3M0030090K
Вид каналаобогащенный Время готовности62нс Заряд затвора87нC Код производителяC3M0030090K КорпусTO247-4
9 540.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс" 1.

C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
0.0
C3M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности75нс Заряд затвора101нC Код производителяC3M0040120D КорпусTO247-3
3 159.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
0.0
C3M0040120K
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора99нC Код производителяC3M0040120K КорпусTO247-4
3 290.82 ₽
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт
0.0
C3M0060065D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC Код производителяC3M0060065D КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 750.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт
0.0
C3M0060065J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC Код производителяC3M0060065J КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
3 180.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт" 1.

C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт
0.0
C3M0060065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC Код производителяC3M0060065K КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 741.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс
0.0
C3M0065090D
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора30,4нC Код производителяC3M0065090D КорпусTO247-3
3 494.90 ₽
Доступность: 586 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс" 1.

C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс
0.0
C3M0065090J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC Код производителяC3M0065090J КорпусD2PAK-7
3 004.25 ₽
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

C3M0065090J-TR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс
0.0
C3M0065090J-TR
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC Код производителяC3M0065090J-TR КорпусD2PAK-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090J-TR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж